压接IGBT模块芯片温度及热阻测量方法的多维度探究与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）模块作为核心功率半导体器件，占据着举足轻重的地位。IGBT模块融合了金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗、易驱动特性以及双极型晶体管的低导通压降、大电流承载能力等优势，被广泛应用于工业自动化、新能源、交通运输、智能电网等众多关键领域。

在工业自动化领域，IGBT模块大量应用于电机驱动与变频器中。电机作为工业生产的动力源，其运行效率和控制精度直接影响生产效能