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文档摘要

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高压大功率GaN器件开关振荡剖析与应用设计优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今电力电子技术飞速发展的时代，高压大功率器件作为核心部件，广泛应用于新能源汽车、智能电网、工业自动化等众多领域。随着对系统效率、功率密度和小型化要求的不断提高，氮化镓（GaN）器件凭借其优异的特性脱颖而出，成为研究和应用的热点。

GaN作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等突出优势。这些特性使得GaN器件在高压大功率应用中展现出卓越的性能。与传统硅基器件相比，GaN器件能够在更高的频率下工作，显著降低开关损耗，从而提高系统效率。其高功率密度特性还允许在更小的体积内