6.2PN结的形成及特性《第六章二极管及整流电路》

PN结的形成及特性PN结是P型半导体与N型半导体交界面处形成的电学区域，是组成半导体器件的基本结构。

学习目标1.熟悉PN结的形成2.掌握PN结的单向导电性

6.2.1PN结的形成用不同的掺杂工艺使同一半导体（如本征硅）一侧形成P型半导体，而另一侧形成N型半导体。此时，在它们的交界面处就出现了自由电子和空穴的浓度差别，如图所示。浓度差使载流子发生扩散运动

6.2.1PN结的形成P区的多子空穴浓度大大高于N区的少子空穴浓度，而N区的多子自由电子浓度大大高于P区的少子自由电子浓度，由于存在载流子的浓度差，载流子将从浓度较高的区域向浓度较低