卷对卷技术制备超大单原子层六方BN薄膜及其在二维光电子器件中的应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学的前沿探索中，二维材料凭借其独特的原子结构和优异的物理性质，正引领着一场科技变革。自2004年石墨烯被首次成功剥离以来，二维材料家族不断壮大，包括过渡金属硫族化合物（TMDCs）、六方氮化硼（h-BN）等，展现出在电子学、能源、传感器等众多领域的巨大应用潜力。二维材料的原子级厚度赋予其与传统三维材料截然不同的特性，如高载流子迁移率、强光学与物质相互作用以及出色的机械柔韧性，这些特性为解决传统材料在纳米尺度下的性能瓶颈提供了新途径，有望推动下一代高性能、小型化和多功能器件