探寻先进集成封装中多物理效应高性能仿真方法：理论、实践与突破

一、绪论

1.1研究背景

随着半导体技术的飞速发展，先进集成封装在半导体行业中占据着愈发重要的地位，已然成为推动行业进步的关键力量。在过去的几十年里，半导体工艺遵循摩尔定律不断演进，芯片上可容纳的晶体管数量大约每18个月便会增加一倍，这使得芯片性能得以持续提升。然而，当前摩尔定律逐渐逼近物理极限，进一步提升晶体管密度面临着诸多挑战，如高昂的研发成本、复杂的制造工艺以及难以解决的散热和信号干扰等问题。

与此同时，各类新兴应用如人工智能、5G通信、物联网和高性能计算等领域对芯片的性能提出了更为严苛的要求，需要芯片具备高带宽、高算