基本信息
文件名称:铟镓锌氧与氧化镓肖特基结电子器件:制备工艺与性能的深度剖析.docx
文件大小:65.27 KB
总页数:38 页
更新时间:2025-08-11
总字数:约5.13万字
文档摘要
铟镓锌氧与氧化镓肖特基结电子器件:制备工艺与性能的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今科技飞速发展的时代,电子器件作为现代信息技术的基石,其性能的提升和功能的拓展对于推动各个领域的进步具有至关重要的作用。从日常生活中的智能手机、平板电脑,到工业生产中的自动化设备、智能控制系统,再到航空航天、医疗等高端领域,电子器件无处不在,并且对其性能提出了越来越高的要求。随着5G通信、物联网、人工智能等新兴技术的兴起,对电子器件的高速、高效、低功耗、小型化等性能指标的需求愈发迫切。传统的硅基电子器件由于材料特性和物理原理的限制,在面对这些新需求时逐渐显露出瓶颈,难以满足未来科技发展的需求。