极化库仑场散射：解锁AlGaN/GaN电子器件特性的关键密码

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子器件领域，随着信息技术的飞速发展，对电子器件的性能提出了越来越高的要求，如更高的工作频率、更大的功率密度、更低的功耗以及更好的散热性能等。传统的硅基半导体材料由于其自身物理特性的限制，在面对这些高性能需求时逐渐显得力不从心，已接近其性能理论极限，尤其在高频和高功率应用中，难以满足现代芯片对性能的严苛要求。因此，探索和采用新型半导体材料成为提升芯片性能、突破技术瓶颈的关键途径。

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，凭借其一系列优异的物理性质，在电子器件领域展现出巨大的应用潜力。