超薄In?O?纳米片：从制备、改性到光电化学性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今材料科学与技术飞速发展的时代，纳米材料凭借其独特的物理化学性质，成为众多领域研究的焦点。其中，氧化铟（In?O?）纳米片作为一种重要的二维纳米材料，在光电领域展现出了巨大的应用潜力，吸引了科研人员的广泛关注。

In?O?是一种具有立方铁锰矿结构的n型半导体材料，其禁带宽度约为3.6-3.9eV。当In?O?被制备成纳米片结构时，由于量子尺寸效应和高比表面积等特性，使其具备了与体相材料截然不同的优异性能。在光学方面，In?O?纳米片在可见光范围内具有较高的透明度，同时对光的吸收能力