凝胶/PbI?半导体单晶复合物的制备工艺与禁带宽度调控策略研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域，材料的性能提升与创新一直是推动行业发展的核心驱动力。凝胶/PbI?半导体单晶复合物作为一种新兴的复合材料，正逐渐成为研究的焦点。PbI?半导体单晶具有独特的晶体结构和电学性能，在光电器件、探测器等领域展现出巨大的应用潜力，其原子序数大（ZPb＝82，ZI＝53），对高能射线有较高的阻止本领，是制作室温x-射线(或γ射线)探测器的最有前途的材料之一。然而，其本征性能在某些应用场景下仍存在一定的局限性，例如其禁带宽度的固有特性限制了其在一些对禁带宽度有特定要求的领域