第二章集成电路的基本制造工艺;

1.ASIC主要工艺及选择依据

目前适用于ASIC的工艺主要有下述五种：

(1)CMOS工艺。

(2)TTL/ECL工艺。

(3)BiCMOS工艺。

(4)GaAs工艺。

(5)BCD工艺。;

根据用户和设计的需要，一般从以下五个方面选择合适的工艺：

(1)集成度和功耗。

(2)速度(门传播延迟)。

(3)驱动能力。

(4)成本造价。

(5)有无IP库和设计继承性。;

2.深亚微米工艺的特点

通常将0.35μm以下的工艺称为深亚微米(DSM)工艺。