2025年GAAFET技术在3nm以下节点研发进展对数据中心存储的影响报告

一、2025年GAAFET技术在3nm以下节点研发进展概述

1.1GAAFET技术原理及其优势

1.2GAAFET技术在3nm以下节点研发进展

1.3GAAFET技术在数据中心存储中的应用前景

二、GAAFET技术在3nm以下节点研发面临的挑战与应对策略

2.1晶体管尺寸极限的挑战

2.2栅极材料创新的挑战

2.3制造工艺的挑战

2.4经济和环境挑战

三、GAAFET技术对数据中心存储性能的提升

3.1提高存储密度

3.2降低功耗

3.3提升读写速度

3.4增强数据可靠性

3.5支持新型存储技术