水基ALD技术下石墨烯/高κ介质异质结直接形成：方法与机理的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今半导体技术飞速发展的时代，器件性能的提升始终是科研人员不懈追求的目标。随着摩尔定律逐渐逼近其物理极限，传统硅基半导体器件在尺寸缩小过程中面临着诸多挑战，如短沟道效应、漏电流增加以及栅极电容难以进一步降低等问题，这些问题严重限制了器件性能的进一步提升，也为半导体行业的持续发展带来了巨大阻碍。寻找新型材料和技术以突破现有瓶颈，成为了半导体领域亟待解决的关键问题。

石墨烯，作为一种由碳原子以六边形晶格紧密排列而成的二维材料，自2004年被成功剥离以来，凭借其独特的结构和优异的物理性质，