探究nAlGaN材料系多量子阱结构的电子学特性与应用潜力

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域的持续发展进程中，新型半导体材料与结构的研究始终是推动电子器件性能提升与功能拓展的核心驱动力。nAlGaN材料系多量子阱结构，作为其中备受瞩目的研究对象，凭借其独特的物理特性与卓越的应用潜力，在半导体材料的大家庭中占据着举足轻重的地位。

nAlGaN材料系属于III族氮化物半导体材料体系，该体系涵盖了GaN、InN、AlN以及它们之间的三元或四元合金，具备电子饱和漂移速率大、介电常数小、击穿场强高和热导率高等一系列优异的光学与电学特性。nAlGaN材料通过对Al、Ga