基于第一性原理的p-K:ZnO薄膜制备及电子结构特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体材料的研究领域中，ZnO薄膜凭借其独特的物理和化学性质，占据着极为重要的地位。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族具有六角纤锌矿结构的直接带隙宽禁带n型半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV。这些特性使得ZnO薄膜在光电子学、半导体器件等众多领域展现出巨大的应用潜力。

在光电器件方面，由于其较宽的直接带隙和高激子结合能，ZnO薄膜被广泛应用于紫外发光二极管（LED）和紫外探测器的制造。基于ZnO的紫外LED能够发出高强度的紫外光，在医疗、消毒等