(2025年)半导体芯片制造中、高级工考试题(含答案)

一、选择题（每题3分，共30分）

1.在半导体芯片制造中，以下哪种气体常用于化学气相沉积（CVD）过程来生长二氧化硅薄膜？（）

A.硅烷（SiH?）和氧气（O?）

B.氢气（H?）和氮气（N?）

C.氯气（Cl?）和氟化氢（HF）

D.氩气（Ar）和氦气（He）

答案：A

解析：在化学气相沉积（CVD）生长二氧化硅薄膜时，硅烷（SiH?）和氧气（O?）是常用的反应气体。硅烷提供硅源，氧气提供氧源，它们在一定条件下发生化学反应生成二氧化硅（SiO?）薄膜。氢气和氮气一般不用于直接生长二氧化硅薄膜；氯气和氟化氢常用于刻蚀