基本信息
文件名称:电子技术基础(双色)(含微课)张彦丽、卢建勤、吴仁君课后习题答案.pdf
文件大小:3.86 MB
总页数:18 页
更新时间:2025-08-20
总字数:约1.7万字
文档摘要

项目一

一、填空题

1.导体绝缘体半导体热敏性光敏性掺杂性

2.本征半导体杂质半导体N型半导体P型半导体

3.导通截止

4.最大反向工作电压URM

6.反向击穿反向击穿

二、选择题

BCABAB

三、解答题

1.在P型半导体和N型半导体交界处,由于P型半导体中的空穴多于电子,N型半导

体中的电子多于空穴,所以,在交界面附近将产生多数载流子的扩散运动。P区的空穴向N

区扩散,与N区的电子复合;N区的电子向P区扩散,与N区的空穴复合。

由于这种扩散运动,N区失掉电