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摘要

量子点发光二极管（QLED）具有色纯度高、色域广、发光效率高且发光光谱连续

可调等特点，有望发展成为新一代照明显示技术。目前QLED器件的内量子效率（IQE）

已经接近100%，但外量子效率（EQE）却很低，理论极限仅为20%左右，主要原因是

器件发光层（QDs层）产生的光在经过各个功能层及衬底时产生了大量光损耗。其中，

衬底模式损耗可由外部光提取技术（ELE）提取到器件外，这种光提取技术在提高器件

EQE的同时，不影响其内部电学性能。作为外部光提取结构之一的微透镜阵列具有制