基本信息

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文档摘要

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二维材料场效应晶体管赋能摩擦电子学器件的创新与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，电子器件的性能提升和小型化一直是科研领域的重要追求目标。在过去的几十年里，硅基金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的缩放遵循摩尔定律，推动了集成电路技术的巨大进步，使得芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番，半导体芯片尺寸不断缩小，性能显著增加。然而，当晶体管尺寸缩小至亚10纳米技术节点时，硅基材料出现了一些固有的问题，如在半导体-绝缘体界面处的电荷载流子散射增加，导致迁移率降低，同时泄漏电流增大，严重影响了器件的性能和功耗。这使得经典的硅基晶体管技术逐渐