一维CdSxSe1-x合金纳米线阵列：制备工艺、性能表征与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，一维纳米结构材料凭借其独特的物理性质和潜在的应用价值，成为了科研领域的焦点。自1991年日本科学家S.Iijima教授发现碳纳米管（CNT）以来，一维半导体纳米材料因其载流子及光传输在两个维度上的限域作用，保障了载流子的高效传输和定向控制，受到了广泛关注。由大量竖直生长的一维纳米线整齐排列而成的一维纳米线阵列，具有独特的电学、光学、磁学等性能，对研制规模化功能器件，如光电探测器、压力传感器和场效应晶体管等，有着十分重要的意义。

硫化镉（CdS）和硒化镉（Cd