2025年半导体产业3nm以下GAAFET工艺技术路线图解析

一、2025年半导体产业3nm以下GAAFET工艺技术路线图解析

1.技术背景

1.1GAAFET晶体管优势

1.2工艺特点

1.2.1栅极结构优化

1.2.2沟道材料升级

1.2.3源漏结构优化

1.2.4离子注入技术

1.2.5光刻技术

1.3发展趋势

1.3.1晶体管尺寸降低

1.3.2新型沟道材料研发

1.3.3三维集成技术

1.3.4绿色制造

二、GAAFET工艺技术关键点及挑战

2.1GAAFET工艺技术关键点

2.1.1环绕栅极结构

2.1.2沟道工程

2.1.3纳米级光刻技术

2.1