Si基GeSn合金：从外延生长到光电器件制备的关键技术与应用突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息化时代，半导体技术作为信息技术的核心支撑，始终处于快速发展的前沿。随着集成电路的不断演进，对高性能、高集成度以及低功耗器件的需求日益迫切。Si基GeSn合金作为一种新兴的半导体材料，因其独特的物理性质和与硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的兼容性，在半导体领域展现出了巨大的潜力，成为了研究的热点之一。

硅（Si）作为目前半导体产业的主流材料，拥有成熟的工艺技术和庞大的产业基础。然而，Si本身的间接带隙特性限制了其在光电器件方面的应用，如发光效率较低，难以满足光通信、光互连