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文件名称:高硅铝电子封装材料:半固态真空热挤压制备工艺与性能的深度剖析.docx
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总页数:36 页
更新时间:2025-08-25
总字数:约3.21万字
文档摘要
高硅铝电子封装材料:半固态真空热挤压制备工艺与性能的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
随着现代电子技术的迅猛发展,电子设备正朝着小型化、轻量化、高性能以及高可靠性的方向大步迈进。在这一发展进程中,电子封装技术作为保障电子器件正常运行的关键环节,其重要性日益凸显。电子封装不仅要为电子元件提供机械支撑和物理保护,使其免受外界环境的干扰与损害,还要确保高效的散热、良好的电气连接以及信号传输,以满足电子设备在各种复杂工况下的稳定运行需求。因此,电子封装材料作为实现这些功能的物质基础,其性能优劣直接决定了电子设备的整体性能和可靠性。
在众多电子封装材料中,高硅铝材料凭借其独特的性能优势脱颖而出