基于电子显微学的锑化物超晶格与磁性斯格明子微观结构及性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学不断探索创新的进程中，新型材料结构与独特磁畴结构的研究始终占据着关键地位，锑化物超晶格和磁性斯格明子便是其中备受瞩目的两大领域。

锑化物超晶格作为一种人工设计的半导体材料，自20世纪70年代由美国国际商用机器（IBM）公司的江琦、朱兆详等人提出超晶格概念，并于1977年进一步提出锑化物（InAs/GaSb）II类超晶格概念以来，凭借其在红外探测领域的巨大潜力，吸引了众多科研工作者的目光。从技术发展历程来看，在20世纪80年代-21世纪初的技术孕育阶段，主要围绕超