突破性能瓶颈：SOISiGeHBT特征频率与击穿电压的优化策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代，集成电路作为电子设备的核心组成部分，其性能的提升对于推动整个电子产业的进步起着至关重要的作用。SOISiGeHBT（绝缘体上硅硅锗异质结双极晶体管）作为一种新型的半导体器件，凭借其独特的结构和优异的性能，在集成电路领域展现出了巨大的潜力和应用价值。

SiGe材料是由硅（Si）和锗（Ge）组成的合金，它融合了两种材料的优点，具备高迁移率、低热噪声以及较高的射频增益等特性。这些特性使得基于SiGe材料的器件在高频应用中表现出显著的优势，能够有效提高电子