等离子体辅助电子束蒸发沉积AIN薄膜：制备、等离子体密度诊断及性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学的不断发展进程中，氮化铝（AlN）薄膜凭借其独特且优异的性能，在众多领域展现出了极为广阔的应用前景，逐渐成为研究的焦点。AlN是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有纤锌矿晶体结构。其禁带宽度高达6.2eV，属于宽禁带半导体材料，这一特性使AlN薄膜在高温、高频及强辐射等极端环境下的电子器件应用中具有显著优势。

从电学性能方面来看，AlN薄膜具有高电阻率和低介电常数的特点，其电阻率可达1013-101?Ω?cm，介电常数在8-10之间。这种优异的