像差校正透射电子显微学：铁电薄膜界面与畴结构的原子尺度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子器件不断向小型化、高性能化和多功能化发展的进程中，铁电薄膜凭借其独特的物理性质，如自发极化、电滞回线、高介电常数和压电效应等，在非易失性存储器、传感器、驱动器、热释电器件和电光器件等领域展现出不可或缺的重要性。例如，在非易失性存储器中，铁电薄膜利用其可反转的自发极化特性来存储信息，相比传统存储技术，具有更快的读写速度、更低的功耗和更高的存储密度潜力；在传感器领域，基于铁电薄膜的压电效应和热释电效应，能够实现对压力、温度、应力等物理量的高灵敏度检测，广泛应用于生物医学传感、环境监测和工业控