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12.1.3其他典型光电器件3）电荷耦合器件（CCD）（1）电荷耦合器件结构与原理工作原理：MOS电容器存储电荷，若半导体是P型硅，在金属电极上加正电压Ug时，P型硅中的多数载流子（空穴）受排斥，少数载流子(电子)吸引到P-SiO界面处，在界面附近形成一带负电的耗尽区，称表面势阱。光照产生电子-空穴对，光生电子被附近的势阱吸收，且吸收的光生电子数与入射到该势阱附近的光强成正比。势阱存储了电荷，同时产生的空穴被排斥出耗尽区。一定条件下，所加正电压Ug越大，耗尽层越深，Si表面吸收少数载流子，表面势(半导体表面对于衬底的电势差)也越大，势阱容纳的少数