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文件名称:基于表面等离子体的超分辨干涉光刻:原理剖析与方法探索.docx
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总页数:50 页
更新时间:2025-08-28
总字数:约6.52万字
文档摘要

基于表面等离子体的超分辨干涉光刻:原理剖析与方法探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的浪潮中,半导体芯片作为众多电子设备的核心部件,其制造工艺的进步一直是推动信息技术发展的关键力量。从最初的晶体管发明到如今高度集成的复杂芯片,半导体芯片制造工艺经历了翻天覆地的变化,而光刻技术始终在其中扮演着举足轻重的角色。光刻技术如同半导体芯片制造过程中的“雕刻师”,负责将设计好的电路图案精确地转移到硅片等衬底材料上,其分辨率和精度直接决定了芯片上晶体管等电子元件的尺寸和布局,进而影响芯片的性能、功耗、成本以及集成度。

随着人们对电子设备性能要求的不断提高,如智能手机需要更强大的处理