基本信息
文件名称:《GB/T 30856-2025LED外延芯片用砷化镓衬底》.pdf
文件大小:243.06 KB
总页数:3 页
更新时间:2025-08-28
总字数:约5.5千字
文档摘要
ICS29.045
CCSH83
中华人民共和国国家标准
/—
GBT308562025
代替/—
GBT308562014
LED外延芯片用砷化镓衬底
GaAssubstratesforLEDeitaxialchis
pp
2025-08-01发布2026-02-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT308562025
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
/—《》,/—,
本文件代替GBT308562014LED外延芯片用砷化镓衬底与GBT308562014相比除结
,:
构调整和编辑性改动外主要技术变化如下
)(,);
a更改了规格见4.1.22014年版的4.3
)(,);
b更改了电学性能的要求见5.12014年版的4.4
)(,);
c更改了参考面及切口的要求见5.22014年版的4.4
)(,);
d更改了表面晶向及晶向偏离的要求见5.32014年版的4.5
)(,);
e更改了位错密度的要求见5.42014年版的4.6
)(,);
f更改了几何尺寸的要求见5.52014年版的4.9
)(,);
g更改了表面质量的要求见5.62014年版的4.7
)(,);
h更改了电学性能的检验方法见5.22014年版的4.8
)(,);
i更改了切口的检验方