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文件名称:氮化镓器件赋能:高温传感电子单元的创新设计与实现.docx
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总页数:25 页
更新时间:2025-08-28
总字数:约3.12万字
文档摘要

氮化镓器件赋能:高温传感电子单元的创新设计与实现

一、绪论

1.1研究背景与意义

随着现代工业、航空航天、能源等领域的快速发展,对高温环境下的参数监测与控制需求日益增长。高温传感器作为获取高温信息的关键部件,其性能直接影响到系统的稳定性、可靠性与安全性。传统的硅基传感器由于材料本身的限制,在高温环境下,其电子迁移率降低、漏电流增大,导致传感器的精度、灵敏度和可靠性大幅下降,无法满足高温环境下的测量需求。因此,开发新型耐高温的传感器材料与技术成为当前研究的热点。

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大(约为3.4eV,是硅材料的3倍)、击穿电场高(约为3.3MV