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文件名称:基于DFTB计算洞悉低维硅锗材料结构与电子性质的奥秘.docx
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更新时间:2025-08-29
总字数:约4.15万字
文档摘要
基于DFTB计算洞悉低维硅锗材料结构与电子性质的奥秘
一、引言
1.1研究背景与意义
随着半导体产业的飞速发展,对高性能材料的需求日益增长。在众多半导体材料中,硅(Si)和锗(Ge)因其独特的物理性质,成为了研究的焦点。硅作为第一代半导体材料的代表,凭借其储量丰富、成本低廉、易于提纯和加工等优势,在半导体领域占据了主导地位,全球制造的所有半导体95%以上、集成电路的99%是用硅晶体材料制造的。锗也是重要的半导体材料之一,在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用。
当材料的维度降低到纳米尺度时,量子限制效应、表面