基本信息

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文档摘要

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非接触化学机械抛光：材料去除机理的深度剖析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子工业中，对材料表面平整度和精度的要求达到了前所未有的高度。随着集成电路（IC）制造技术向更小线宽和更大直径晶圆发展，如到2010年已跨进线宽32nm和直径450mm的时代，芯片的表面平整度必须达到亚纳米级（1nm）。与此同时，为提高计算机磁盘的存储密度，磁头和磁盘的表面粗糙度要求也愈发严苛，达到Ra≤0.1nm。在这样的背景下，表面的全局平整度要求成为了电子工业发展进程中亟待攻克的关键挑战。

化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing/Planari