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硅锗晶体管的研究

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近几年来，硅锗/硅异质接面元件异军突起，自1988年第一篇关于硅锗晶体管元件之研究发表以来，硅锗晶体管元件在制程技术与特性上就不断的发展与进步，由于硅锗元件具异质接面结构及与CMOS硅元件在制程上相容的优点，所以不仅具有硅元件的低成本，而且有其异质接面的高效能。硅锗不仅在高频的领域可战胜硅，在低成本上更可战胜砷化镓。目前研究最多且最久者属硅锗异质接面晶体管，由于硅锗/硅异质接面的应变工程与能隙材工程之材料特性，使其在场效晶体管与光电元件上也有不错的应用与发展。因此，本文特就笔者熟知的部份，分三个方面介绍硅锗晶体管的基本原理与应用，分别为硅锗异质接