基本信息
文件名称：《电子技术》第1章 半导体器件-教学课件（非AI生成）.ppt
文件大小：2.55 MB
总页数：54 页
更新时间：2025-08-30
总字数：约1.04万字
文档摘要
ICMU(BR)CEO由三个极限参数可画出三极管的安全工作区ICUCEOICUCE=PCM安全工作区*共晶体管参数与温度的关系1.温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。2.温度每升高1?C，UBE将减小–(2~2.5)mV，即晶体管具有负温度系数。3.温度每升高1?C，?增加0.5%~1.0%。*共谢谢！*共1.3半导体二极管阴极引线阳极引线二氧化硅保护层P型硅N型硅(c)平面型金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳(a)点接触型铝合金小球N型硅