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文件名称:半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA)标准立项研究报告.docx
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更新时间:2025-08-30
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文档摘要

半导体晶片近边缘几何形态评价第2部分:边缘卷曲法(ROA)标准立项研究报告

EnglishTitle:EvaluationofEdgeGeometryofSemiconductorWafers—Part2:Roll-OffAmount(ROA)Method:Purpose,Scope,andTechnicalContent

摘要

随着半导体制造工艺节点不断微缩和晶圆直径持续增大,晶片近边缘区域的几何形态质量对集成电路成品率的影响日益显著。本报告围绕《半导体晶片近边缘几何形态评价第2部分:边缘卷曲法(ROA)》的立项背景、目的意义、适用范围及主要技术内容展