溶液法制备氧化锆薄膜及其在低压驱动有机场效应晶体管中的性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

1.1.1氧化锆薄膜的重要性

在微电子领域持续进步的当下，器件性能的优化和尺寸的微缩始终是研究的关键方向。氧化锆薄膜凭借其独特的物理性质，在众多微电子器件中发挥着不可或缺的作用，成为了推动该领域发展的重要材料之一。

在晶体管制造中，氧化锆薄膜可作为高性能的栅介质材料。随着半导体技术朝着更小尺寸、更高性能的方向发展，传统的栅介质材料二氧化硅逐渐接近其物理极限。当等效氧化物层厚度减小到纳米数量级时，量子效应会导致MOS的隧穿漏电流急剧增大，严重影响器件的可靠性和稳定性。而氧化锆具有较高的介电