微电子工艺实验第五章扩散和退火工艺分析与应用

1.进一步理解集成电路制造中扩散和退火工艺的原理与流程；2.使用多功能实验基础平台和半导体参数分析仪完成对扩散工艺中的杂质源类型、扩散时间、扩散温度、掺杂浓度等参数的分析，以及对退火工艺中的退火时间、退火温度等参数的分析；3.对比退火工艺与氧化增强扩散的异同，并进行倒掺杂阱工艺中的退火处理。实验原理实验内容实验目的实验结果分析思考题和拓展实验

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实验目的实验内容实验原理实验结果分析思考题和拓展实验定义扩散区杂质预扩散表面钝化杂质再分布SiSiO2SiSiO2SiSiO2SiO2典型的热扩散