微电子工艺实验第六章薄膜淀积和外延工艺分析与应用

1.进一步理解集成电路制造中薄膜淀积工艺的原理与流程，特别是关于介质淀积和外延工艺；2.使用多功能实验基础平台和半导体参数分析仪完成单层与多层外延、介质薄膜淀积、绝缘层上硅（SOI）衬底及沟槽介质隔离等结构的制作和分析。实验原理实验内容实验目的实验结果分析思考题和拓展实验

沉积是重要的微电子单步工艺，通常用于沉积掩蔽层、绝缘层和金属层等需要完整覆盖的介质。根据沉积介质的不同会选择不同的设备，包括低压化学气象淀积、等离子体增强化学气相淀积、磁控溅射台和真空蒸镀台等。沉积的参数主要包括沉积材料和沉积厚度实验目的实验内容实验原理实验结果分析思考题