微电子工艺实验第四章离子注入工艺分析与应用

1.进一步理解集成电路制造中离子注入工艺的原理与流程；2.使用多功能实验基础平台和半导体参数分析仪完成对注入离子类型、注入剂量、注入能量等关键参数的分析；3.应用离子注入实现倒掺杂阱的制作和分析。实验原理实验内容实验目的实验结果分析思考题和拓展实验

离子注入（IonImplantation）是指通过高能离子束注入晶圆表层内形成掺杂区域，从而改变材料的掺杂类型或电导率等电学性质。原子或分子经过离子化后带有一定的电荷并形成等离子体，等离子体通过加速器成为高能离子束且射入晶圆内，并与晶圆中的原子或分子发生碰撞而逐步损失能量。当能量耗尽后，入射离子就会