微电子工艺实验第七章金属化后道工艺分析与应用

1.进一步理解集成电路制造中金属化后道工艺的原理与流程，特别是物理气相淀积工艺中的蒸发和溅射金属制备方法；2.同时使用多功能实验基础平台和半导体参数分析仪完成金属电极、多层互联层的制作与分析，并熟悉大马士革镶嵌工艺的制作工序。实验原理实验内容实验目的实验结果分析思考题和拓展实验

后道工艺聚焦于半导体芯片表面金属互联层的构建，即通过淀积和图形化金属材料形成导电通路，实现器件（如晶体管）之间的电学连接，最终得到具有特定功能的电路或芯片，这一过程也被简称为金属化工艺（MetallizationProcess），其主要包括金属接触（Contact）、