微电子工艺实验第二章光刻与刻蚀工艺分析与应用

实验原理思考题和拓展实验实验内容实验目的1.集成电路制造中光刻和刻蚀工艺的原理及流程；2.使用多功能实验基础平台和半导体参数分析仪完成特定光刻胶线条(或图形）、氧化硅掩膜、台阶或沟槽结构的制作。

实验内容实验原理实验目的思考题和拓展实验SiPRSi光刻胶光hv掩模涂布光刻胶曝光显影SiO2SiSiO2SiSiO2SiSi刻蚀SiSi去除光刻胶

实验内容实验原理实验目的光刻（Lithography）通过匀胶、曝光、显影等一系列步骤，将附着在晶圆表面的光刻胶薄膜的特定部分去除，从而留下带有微图形结构的光刻胶。光刻的本质是一次图形转移过程，将特定