基本信息
文件名称：微电子概论与前沿技术：半导体工艺篇PPT教学课件.pptx
文件大小：585.89 KB
总页数：19 页
更新时间：2025-09-03
总字数：约4.97千字
文档摘要
微电子学院微电子概论与新进展半导体工艺篇
目录234氧化与掺杂工艺薄膜制备与外延工艺光刻与刻蚀工艺1半导体工艺类型5测试与封装工艺
v一、技术背景硅平面工艺类型一、半导体工艺类型常见的Si平面工艺包括BJT集成电路工艺和CMOS工艺，以BJT为例，具体步骤如下：衬底制备：制备轻掺杂P衬底埋层生长：为了降低集电极串联电阻、减小寄生管的影响，在外延层与衬底之间制备埋层外延生长：在衬底上外延生长一层N型硅作为集电区隔离区生长：在外延层上产生很多在电性上各自孤立的隔离岛，以实现元器件间的绝缘，以PN结隔离为主基区生长：继续通过氧化、光刻、扩散生长P型基区发射区及集电极欧姆区生长：生长N型发射区