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摘要

GaN以其宽禁带、高饱和电子漂移速度及高击穿场强等优点，成为制备紫外

光电子器件及微电子元件的理想材料，在军事和民用等众多领域有着广泛应用。目

前，GaN主要制备方法有分子束外延、金属有机化学气相沉积等，相较于以上制

备方法，磁控溅射技术具有设备成本低、能够实现大面积、低温沉积及不排放有毒

气体等优点，因此，利用磁控溅射制备晶体质量良好、性能优良的GaN薄膜具有

很大的应用潜力与研究价值。目前，针对磁控溅射制备大面积高质量GaN薄膜的

研究仍然不足，多数报道停留在材料的制备阶