第三代半导体器件驱动的高速互连屏蔽技术发展路径与产业化瓶颈突破

目录

TOC\o1-3\h\z\u一、第三代半导体器件特性与高速互连屏蔽技术需求 3

1.第三代半导体器件的核心特性 3

宽禁带材料（GaN、SiC）的物理性能优势 3

高频、高温、高压工作环境下的稳定性表现 5

2.高速互连屏蔽技术的关键需求 7

信号完整性（SI）与电磁兼容性（EMC）的双重约束 7

高频信号传输下的干扰抑制与功耗优化要求 9

二、高速互连屏蔽技术的发展路径 10

1.材料优化与集成创新 10

新型屏蔽材料（如金属介质复合材料）的研发方向