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微电子工艺实验第三章氧化工艺分析与应用

实验原理实验内容实验目的1.进一步理解集成电路制造中氧化工艺的原理与流程。2.完成对氧化类型、氧化时间、氧化温度等关键工艺参数的分析。3.使用氧化工艺进行栅氧化层、掩蔽层、硅局部氧化隔离（LOCOS）的制作和分析。实验结果分析思考题和拓展实验

氧化工艺（OxidationProcess）一般是指用热氧化方法在硅片表面形成二氧化硅（SiO2）的过程。热氧化形成的二氧化硅薄膜具有优越的绝缘性和致密性。根据反应气体的不同，氧化工艺可分为干法氧化和湿法氧化干法氧化反应式：Si+O2→SiO2湿法氧化反应式：Si+2H2O（水蒸气）→Si