基本信息
文件名称：晶圆制造工艺流程.doc
文件大小：27.54 KB
总页数：14 页
更新时间：2025-09-06
总字数：约8.35千字
文档摘要
晶圆制造工艺流程
1、表面清洗
2、初次氧化
3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。
（1）常压CVD(NormalPressureCVD)
（2）低压CVD(LowPressureCVD)
（3）热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)
（4）电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)
（5）MOCVD(MetalOrganic??CVD)分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)
（6）外延生长法(LPE)
4、