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文档摘要

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硅衬底锗薄膜：制备工艺、影响因素及应用潜力的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域的持续发展进程中，硅衬底锗薄膜凭借其独特且卓越的物理性质，逐渐成为科研与产业应用中的关键研究对象，在现代半导体技术的演进中占据着极为重要的地位。

硅材料作为半导体行业的基石，凭借其优异的电学性能、良好的化学稳定性以及成熟的加工工艺，在过去的几十年间支撑了集成电路的飞速发展。然而，随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，传统硅基器件在提升性能方面遭遇了严峻挑战。例如，当晶体管尺寸不断缩小至纳米尺度时，短沟道效应、漏电流增大等问题日益凸显，严重制约了器件的进一步小型化和性能提升。在这种背景下，寻找新型材料与