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摘要

新信息时代对海量数据高效处理提出了更高的要求。作为高密度集成电路的

主要功能组元，硅基场效应晶体管器件由于特征尺寸持续微缩面临严重的功耗问

题。过渡金属硫族化合物（TMDCs）具有原子级超薄分层结构，能将载流子输运

限定在二维平面内，在特征尺寸缩小到亚纳米级别依然能够实现优异的静电控制。

不仅如此，TMDCs材料还具有丰富的能带结构、高载流子迁移率和强的光物质相

互作用，被认为是是后摩尔时代构建新一代集成电路的有力候选材料。实现大面

积高质量TMDCs薄膜的CVD制备是其大规模集成应用的