基本信息
文件名称：QDSJ111 第三代半导体碳化硅.pdf
文件大小：532.89 KB
总页数：20 页
更新时间：2025-09-13
总字数：约1.23万字
文档摘要
NO.111
随着半导体逐渐进入人们的视野，时至今日半导体材料家族也在逐
渐扩大，现在的半导体迭代也已经到了第三代，第三代半导体以碳
化硅以及氮化镓为代表。
可应用在更高阶的高压功率元件，以及高频通讯元件领域：例如高
温、高频、抗辐射、大功率器件等等。
第三代半导体的优势在哪里呢？
?比导通电阻是硅器件的近千分之一（在相同的电压/电流等级），
可以大大降低器件的导通损耗；
?开关频率是硅器件的20倍，可以大大减小电路中储能元件的体积，
从而成倍地减小设备体积，减少贵重金属等材料的消耗；
?理论上可以在600℃以上的高温环境下工作，并有抗辐射的优势，