钕掺杂氧化锌铁磁性半导体：生长机制、性能调控与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今材料科学领域，半导体材料始终占据着举足轻重的地位，其独特的电学、光学和磁学性质，为现代科技的发展提供了强大的支撑。氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽禁带半导体材料，凭借其一系列优异的特性，在众多领域展现出了巨大的应用潜力。

氧化锌具有较宽的直接带隙，室温下约为3.37电子伏特，这一特性使得它在紫外光区域表现出良好的光学响应，对于开发紫外光电器件，如紫外探测器和紫外发光二极管（LED）等具有重要意义。较高的激子结合能，约为60毫电子伏特，远高于室温下的热离化能（26毫电子伏特），这意味着在